Direkt zum Seiteninhalt

Kompetenzen | Fachthemen | Service | Aktuell | Über uns
Kontakt | © Impressum | Sitemap | Suche | English
Bundesadler



Archiv Aktuelle Meldungen

 

Sicherheitswarnung zu Silvesterfeuerwerk

Achtung!

Wir weisen daraufhin, dass CE-gekennzeichnete Feuerwerkskörper der Kategorie F2 mit nicht erlaubten Anzündmitteln (z.B. gedeckter Stoppine) im Handel erhältlich sein können. Dies betrifft derzeit die folgenden Artikel:

Feuerwerksbatterie „Knock Out“
Registriernummer: 0336-F2-27410
Identifikationsnummer: BAM-F2-0308

Feuerwerksbatterien Solar und Solaris
Registriernummer: 1395-F2-0003/2009
Identifikationsnummer: BAM-F2-0163

Gemäß den Anforderungen nach DIN EN 15947-5:2010 Kapitel 6.2 dürfen Feuerwerkskörper keine spontan abbrennenden gedeckten Anzündschnüre nach außen führen. Wenn diese Gegenstände angezündet werden, muss mit direktem Durchzünden der Anzündung und sofortigem Start der Funktion gerechnet werden. Der Schutzabstand von 8 m für Feuerwerkskörper der Kategorie F2 kann dann nicht mehr eingehalten werden. In diesem Zusammenhang ist ferner darauf hinzuweisen, dass der Umgang mit Stoppine eine behördliche Erlaubnis voraussetzt. Diese liegt in der Regel bei den Verwendern von Silvesterfeuerwerk nicht vor.

Kontakt:
Dr. rer. nat. Ulrike Rockland, Pressesprecherin
BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung
Telefon: +49 30 8104-1003, E-Mail: presse@bam.de

2011-10-27
 

Referenzmaterial BAM-L200 bietet einen Querschliff durch 142 Halbleiterschichten

Abbildung eines Teils der Oberfläche des zertifizierten Referenzmaterials BAM-L200 mit einem Sekundärionenmassenspektrometer

Abbildung eines Teils der Oberfläche des zertifizierten Referenzmaterials BAM-L200 mit einem Sekundärionenmassenspektrometer (Messung: ION-TOF GmbH Münster) | Großbild

  

Methoden der Oberflächenanalytik wie die Elektronenspektroskopie und die Sekundärionenmassenspektrometrie liefern die Zusammensetzung von Festkörperoberflächen bis in den Bereich weniger Nanometer. Dabei sind die Kontrolle der Bildauflösung und die Kalibrierung der Längenskala von entscheidender Bedeutung für die Qualität der Messergebnisse. Am genauesten geht das mit dem zertifizierten Referenzmaterial BAM-L200, einem Querschliff durch einen Stapel von 142 Halbleiterschichten.

Die Abbildung von Streifenpaaren und dünnen Einzelstreifen mit zertifizierten Breiten und Abständen ermöglicht die Bestimmung der Bildauflösung des verwendeten Gerätes in einem Bereich von 4 bis 600 Nanometer.

BAM-L200 wurde in der Arbeitsgruppe Schicht- und Oberflächenanalytik entwickelt und patentiert. Die Probe besitzt das feinste und komplexeste Streifenmuster, das jemals realisiert wurde. Für ihre Herstellung arbeiten drei Forschungsinstitutionen zusammen: Die BAM, das Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik und die TU Berlin.

Das Referenzmaterial wird weltweit von Geräteherstellern und Anwendern oberflächenanalytischer Verfahren in der Industrie, in metrologischen Staatsinstituten und Forschungseinrichtungen verwendet. Das 50. Exemplar wurde kürzlich an einen deutschen Gerätehersteller verkauft.

Der Einsatz von BAM-L200 wird durch die begleitende Normung von Verfahren zur Bestimmung der Bildauflösung im Rahmen des ISO Technical Committee "Surface chemical analysis" unterstützt.

Referenzmaterial BAM-L200 (Zertifikat, PDF)

Kontakt:
Dr. rer. nat. Mathias Senoner
Arbeitsgruppe Schicht- und Oberflächenanalytik
Telefon: +49 30 8104-3564
E-Mail: Mathias.Senoner@bam.de

2011-04-12
 

Neues Bauen in Afrika

LightSHIP-Projekt, Projektpartner

LightSHIP-Projekt, Projektpartner

Wie kann in Afrika mit regional verfügbaren Rohstoffen preiswert, hochwertig und umweltfreundlich gebaut werden? Dieser Frage widmen sich Ingenieure und Wissenschaftler aus Äthiopien, Ruanda und Südafrika im gemeinsamen „LightSHIP Projekt“. Die Projektteilnehmer kommen am Freitag, den 4. März 2011 an der BAM zu einem Workshop zusammen. Dieser ist eingebunden in einen zweiwöchigen Aufenthalt der Projektpartner von der Addis Ababa University (Äthiopien), dem Kigali Institute of Science and Technology (Ruanda) sowie der University of the Witwatersrand (Südafrika) an der BAM. Die Teilnehmer wollen zukünftige Kooperationsmöglichkeiten evaluieren.

Weitere Informationen | Bildergalerie

2011-02-14
 

Wilhelm-Ostwald-Fellowship

Urkunde

Die BAM ehrt Gastwissenschaftler, die sich durch außergewöhnliche wissenschaftliche Leistungen und besonderes Engagement für die BAM hervorheben, mit der Wilhelm-Ostwald-Fellowship. Seit dem Frühjahr 2010 hat die BAM wiederholt Gastwissenschaftler ausgezeichnet, um sich für ihre überdurchschnittlich gute Kooperation zu bedanken.

2011-02-10
 

Aktuell | Aktuelle Meldungen

2012-04-10  

top

Pressestelle
Unternehmenskommunikation

Dr. rer. nat.
Ulrike Rockland
Unter den Eichen 87
12205 Berlin
Telefon:
+49 30 8104-1003
E-Mail:
Ulrike.Rockland@bam.de